（原标题：DRAM价格中证策略，飙升22%）
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由于特朗普政府引发的关税风险，IT设备制造商纷纷采取措施确保芯片库存，导致4月份DRAM和NAND的固定交易价格飙升。不仅高带宽存储器（HBM）等超高价位存储器的价格上涨，通用DRAM的价格也随之上涨，预计这将对三星电子和SK海力士第二季度的业绩产生积极影响。
据市场调查公司DRAMeXchange 4月30日的数据显示，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字节）产品的固定交易价格为1.65美元，较3月份上涨22.22%。用于存储卡和USB的128Gb MLC NAND闪存的固定交易价格也较3月份上涨11.06%，达到2.79美元。
固定交易价格是指三星电子和SK海力士等半导体公司向大客户供货的价格。此次价格上涨的原因是IT设备制造商已经耗尽了内存库存，并大规模采购半导体。业内专家认为，由于美国政府宣布了互惠关税和90天的宽限期，大型PC公司已采取行动提前确保内存库存。
三星电子和SK海力士预计，这一趋势可能为第二季度的销售增长带来机遇。SK海力士DRAM营销主管金圭铉(Kim Kyu-hyun)在4月24日举行的第一季度财报发布会上表示：“从最终消费者的角度来看，他们可能会在价格上涨（受关税影响）之前抢购，这可能会刺激替换需求。”
DRAM 行业转向先进节点
各大 DRAM 制造商正在加紧计划，缩减使用旧工艺的产量。例如中证策略，三星计划在 2025 年大力扩大其 1a/1b 纳米产能，逐步淘汰依赖 1y 和 1z 纳米 DRAM 芯片的模块。这一战略转变迅速推动了现货市场的价格调整。
虽然其他 DRAM 制造商仍能提供类似的产品，但长期趋势很明显：行业巨头正在将资源转向 DDR5 和高带宽内存 (HBM)，将曾经谨慎的市场转变为日益活跃的市场。
随着OEM厂商将新款笔记本电脑升级至DDR5，DDR4在注重性价比的产品领域依然需求强劲，这推动了订单询价激增，并推动了市场活动。一些分销商已提前开始备货，以确保库存水平稳定。4月份现货市场数据显示，DDR5价格涨幅较3月份放缓至约8%，且近几周涨幅有所放缓或略有下降。
这种疲软主要是由于之前价格大幅上涨以及英伟达 H20 芯片对中国的出口限制造成的中断，从而增加了市场的波动性。
相比之下，DDR4 价格强劲增长，其中 DDR4 16GB 模块涨幅最大。2Gx8 和 1Gx16 配置等产品的月度涨幅达 11% 至 14%，创下自 2024 年末价格长期停滞以来的最大单月涨幅。与此同时，DDR3 4GB 也接近其生命周期的末期，最早可能在今年夏天出现供应短缺。然而，高库存水平以及终端应用向 DDR4 的持续转移使其价格涨幅较为温和，约为 4% 至 5%。
NAND面临价格上限压力
4月份闪存晶圆价格持续攀升，512GB TLC达到2.76美元左右，较3月份上涨6%。然而，1Tb QLC价格在4月初曾一度飙升至5美元，但月底回落至4.95美元。中国业内人士指出，手机品牌厂商与NAND厂商之间出现了僵持局面，加之终端备货需求弱于预期，使得NAND价格上涨的持续性更加困难。
根据中国闪存市场 (CFM) 的研究，NAND 制造商的减产措施收效有限，供应仍然超过需求，尤其是在高容量通用闪存 (UFS) 领域。展望未来，NAND 生产商可能会进一步限制产量以维护利润率，此举可能会重塑未来几个季度的供应格局。
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